买卖IC网 >> 产品目录 >> Si2338DS-T1-GE3 MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

Si2338DS-T1-GE3

库存数量：8985
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30 Volts 6 Amps 2.5 Watts
Si2338DS-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 6 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.023 Ohms
配置 Single
最大工作温度
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 Si2338DS-T1-GE3
SI2341DS
SI2341DS-T1
SI2341DS-T1-E3
SI2341DS-T1-GE3
SI2342DS
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深圳市芯品会科技有限公司 0755-83265528 朱先生
  • Si2338DS-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.47 0.47
    10 0.456 4.56
    100 0.332 33.2
    250 0.29 72.5
    3,000 0.234 701.9999
    6,000 0 0